技术需求说明

随着半导体工业飞速发展，电子器件的尺寸越来越小，对半导体原材料晶片表面的平整度要求也越来越高，达到纳米级别。对晶片表面处理的传统的平坦化技术有热流法、旋转玻璃法、回蚀法、选择淀积等，但这些都只能做到局部的平面化，不能达到全局平面化。化学机械抛光（CMP）不但能够对硅片表面进行局部处理，同时也可以对整个硅片表面进行平坦化处理,是目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的技术。它可以平整晶片表面的不平坦区域，属于化学作用和机械作用相结合的技术，使芯片制造商能够继续缩小电路面积并扩展光刻工具的性能。每个晶圆的生产，都需要对晶片进行多次CMP抛光才得以实现。

需求领域

自动化机械及设备技术

行业分类

制造业